[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 201880002253.9 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN111480235B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 姚国峰;沈健;李运宁 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本申请部分实施例提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括衬底(400)和至少一个像素单元,像素单元包括光电探测器(401),设置于衬底内,光电探测器的感光面朝向衬底的背面,用于在从衬底的背面接收到入射光时,产生电荷;球冠形结构(406),设置于衬底上且位于感光面的相对面;保形介质层(420),设置于球冠形结构上方,用于在入射光达到保形介质层时,产生介质层反射光;反射层(430),设置于保形介质层上方,用于在入射光达到反射层时,产生反射层反射光,使得可以增加入射光的吸收比例,提高图像的信号质量。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的