[发明专利]3D NAND存储器件的结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201880002276.X | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109496358B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 肖莉红;顾立勋 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 钟胜光 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种3D NAND存储器件的结构和制造方法，所述3D NAND存储器件的结构包括：衬底；所述衬底上的第一堆叠层；所述第一堆叠层上的第二堆叠层；所述第一堆叠层与所述第二堆叠层之间的阻隔层；以及延伸穿过所述第一堆叠层、所述阻隔层和所述第二堆叠层的沟道结构，其中，所述沟道结构包括功能层和由所述功能层围绕的沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储 器件 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器件的结构，包括：衬底；所述衬底上的第一堆叠层；所述第一堆叠层上的第二堆叠层；所述第一堆叠层与所述第二堆叠层之间的阻隔层；以及延伸穿过所述第一堆叠层、所述阻隔层和所述第二堆叠层的沟道结构，其中，所述沟道结构包括功能层和由所述功能层围绕的沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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