[发明专利]成膜装置及成膜方法有效

专利信息
申请号: 201880002619.2 申请日: 2018-04-13
公开(公告)号: CN109689927B 公开(公告)日: 2020-12-15
发明(设计)人: 横山礼宽;武井应树;佐藤昌敏;清田淳也 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58;C23C14/14;H01M4/1395
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 代理人: 魏彦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的一形态的成膜装置具有成膜部、第一处理部、第二处理部以及真空室。上述成膜部包含使锂金属蒸发的蒸发源,并在基材上形成锂金属膜。上述第一处理部包含用于将上述锂金属膜的表面羟基化的第一处理室。上述第二处理部包含用于将羟基化后的所述表面碳酸化的第二处理室。上述真空室容纳上述成膜部、上述第一处理部以及上述第二处理部。
搜索关键词: 装置 方法
【主权项】:
1.一种成膜装置,其特征在于,具有:成膜部,包含使锂金属蒸发的蒸发源,并在基材上形成锂金属膜;第一处理部,包含用于对所述锂金属膜的表面进行羟基化的第一处理室;第二处理部,包含用于对羟基化后的所述表面进行碳酸化的第二处理室;以及真空室,容纳所述成膜部、所述第一处理部以及所述第二处理部。
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