[发明专利]铜铟镓硒吸收层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201880002666.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110352499A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 叶亚宽 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 高钊;孙微 |
| 地址： | 100176 北京市北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种铜铟镓硒吸收层的制备方法包括：在基底上依次形成铜镓合金层和铟层构成的铜铟镓预制膜。将铜铟镓预制膜放入具有第一温度阈的反应腔中。向反应腔中通入具有第一载气流量值的硒气氛，使铜铟镓预制膜在第一时长内反应，以在铜铟镓预制膜表面形成非饱和的In‑Se二元相和Cu‑Se二元相。向反应腔内通入具有第二载气流量值的硒气氛，使得表面形成有非饱和的In‑Se二元相和Cu‑Se二元相的铜铟镓预制膜在第二预设时长内反应，获得铜铟镓硒预制膜。在预设的第二温度阈和第三预设时长内对铜铟镓硒预制膜进行退火处理，获得太阳能电池吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 预制膜 铜铟镓 反应腔 制备 铜铟镓硒吸收层 表面形成 铜铟镓硒 预设时长 二元相 温度阈 硒气氛 载气流 太阳能电池吸收层 太阳能电池 铜镓合金层 退火处理 放入 基底 时长 预设 铟层 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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