[发明专利]三维存储器件及其制造方法

摘要

公开了具有约束电子传输的存储层的三维(3D)存储器件及其形成方法的实施例。一种用于形成3D存储器件的方法包括下述操作。在一个结构中形成初始沟道孔。所述结构包括在衬底之上交替布置的多个第一层和多个第二层。可以在所述初始沟道孔的侧壁上形成所述多个第一层中的每一个的侧表面与所述多个第二层中的每一个的侧表面之间的偏移，以形成沟道孔。可以形成具有沟道形成结构的沟道孔，以形成半导体沟道。所述沟道形成结构可以包括沿竖直方向延伸的存储层。之后，可以利用多个栅电极替代所述多个第二层。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储器件的方法，包括：/n在交替布置在衬底之上的多个第一层和多个第二层的结构中形成初始沟道孔；/n在所述初始沟道孔的侧壁上形成所述多个第一层中的每一个的侧表面与所述多个第二层中的每一个的侧表面之间的偏移，以形成沟道孔；/n利用沟道形成结构填充所述沟道孔，以形成半导体沟道，所述半导体沟道包括在所述沟道孔的侧壁之上形成的阻挡层，在所述阻挡层之上形成的存储层，在所述存储层之上形成的隧穿层，在所述隧穿层之上形成的半导体层，以及在所述半导体层之上形成的电介质芯，其中所述存储层是沿竖直方向延伸的；/n利用多个栅电极替代所述多个第二层；以及/n去除所述沟道形成结构的部分，以将所述存储层划分成多个子存储部分，每一子存储部分部分地包围相应的栅电极，/n其中，去除所述沟道形成结构的部分以将所述存储层划分成多个子存储部分包括：/n去除所述多个第一层以及所述阻挡层的部分，以露出所述存储层并且形成第三初始栅极线狭缝；/n去除所述存储层的部分，以露出所述隧穿层；以及/n去除所述隧穿层的部分，以在所述隧穿层中形成多个凹陷区，从而形成栅极线狭缝，所述多个凹陷区将所述存储层划分成所述多个子存储层。/n