[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置有效

专利信息
申请号: 201880002792.2 申请日: 2018-01-31
公开(公告)号: CN110326089B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 松井都;臼井建人;伊泽胜;桑原谦一 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在重复进行沉积工序和蚀刻工序的循环蚀刻中,高精度地控制图案上的沉积膜厚来长时间稳定地蚀刻成所期望的形状。具备:沉积工序(S1),将具有堆积性的反应性气体导入处理室,在被蚀刻基板的被蚀刻图案的表面形成堆积层;蚀刻工序(S2),将堆积层与被蚀刻图案表面的反应生成物除去;和工序(S3),在交替实施两个工序来加工微细图案的循环蚀刻的、形成堆积层的沉积工序时,将光照射到被蚀刻图案,根据由被蚀刻图案反射的特定波长的干涉光的变化来监视堆积层的膜厚的变化量,决定形成循环蚀刻的下一次循环以后的堆积层的工序的处理条件,以使得根据监视到的堆积层的膜厚的变化量算出的沉积膜厚的指标与参考数据比较收入给定的范围内。
搜索关键词: 等离子 处理 方法 以及 装置
【主权项】:
1.一种等离子处理方法,通过重复进行在被蚀刻膜上形成堆积层的堆积工序、和将所述堆积层与所述被蚀刻膜的反应生成物除去的除去工序来对所述被蚀刻膜进行蚀刻,所述等离子处理方法的特征在于,具有:监视工序,使用通过对所述被蚀刻膜的掩模图案照射以给定的角度偏振的偏振光而得到且由所述掩模图案反射的干涉光的变化来监视所述堆积层的膜厚的变化量。
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