[发明专利]等离子处理方法以及等离子处理装置有效
申请号: | 201880002792.2 | 申请日: | 2018-01-31 |
公开(公告)号: | CN110326089B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 松井都;臼井建人;伊泽胜;桑原谦一 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 高颖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在重复进行沉积工序和蚀刻工序的循环蚀刻中,高精度地控制图案上的沉积膜厚来长时间稳定地蚀刻成所期望的形状。具备:沉积工序(S1),将具有堆积性的反应性气体导入处理室,在被蚀刻基板的被蚀刻图案的表面形成堆积层;蚀刻工序(S2),将堆积层与被蚀刻图案表面的反应生成物除去;和工序(S3),在交替实施两个工序来加工微细图案的循环蚀刻的、形成堆积层的沉积工序时,将光照射到被蚀刻图案,根据由被蚀刻图案反射的特定波长的干涉光的变化来监视堆积层的膜厚的变化量,决定形成循环蚀刻的下一次循环以后的堆积层的工序的处理条件,以使得根据监视到的堆积层的膜厚的变化量算出的沉积膜厚的指标与参考数据比较收入给定的范围内。 | ||
搜索关键词: | 等离子 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种等离子处理方法,通过重复进行在被蚀刻膜上形成堆积层的堆积工序、和将所述堆积层与所述被蚀刻膜的反应生成物除去的除去工序来对所述被蚀刻膜进行蚀刻,所述等离子处理方法的特征在于,具有:监视工序,使用通过对所述被蚀刻膜的掩模图案照射以给定的角度偏振的偏振光而得到且由所述掩模图案反射的干涉光的变化来监视所述堆积层的膜厚的变化量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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