[发明专利]用于闪存存储器的多遍编程的预读取技术有效
| 申请号： | 201880002834.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109690683B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨昕 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种闪存存储器件包括：闪存存储器阵列；以及控制逻辑单元。所述控制逻辑单元耦合到所述闪存存储器阵列。所述控制逻辑单元被布置为：在第一编程遍中根据至少一个第一页的数据对所述闪存存储器阵列的多个存储单元进行编程；感测在所述第一编程遍中被编程的所述存储单元的状态以获得所述至少一个第一页的数据，并且在第二编程遍之前将所述至少一个第一页的数据保存在所述闪存存储器件内的第一寄存器电路中；以及在所述第二编程遍中根据所述至少一个第一页的数据和第二页的数据对所述存储单元进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 闪存 存储器 编程 读取 技术 | ||
【主权项】：
1.一种闪存存储器件，包括：闪存存储器阵列；控制逻辑单元，其耦合到所述闪存存储器阵列，并且被布置为：在第一编程遍中根据至少一个第一页的数据对所述闪存存储器阵列的多个存储单元进行编程；感测在所述第一编程遍中被编程的所述存储单元的状态以获得所述至少一个第一页的数据，并且在第二编程遍之前将所述至少一个第一页的数据保存在所述闪存存储器件内的第一寄存器电路中；以及在所述第二编程遍中根据所述至少一个第一页的数据和第二页的数据对所述存储单元进行编程。
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