[发明专利]新型3D NAND存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201880002892.5 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109690776B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 宋雅丽;肖莉红;王明 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1158 | 分类号： | H01L27/1158 |
| 代理公司： | 11376 北京永新同创知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种3D‑NAND存储器件。该存储器件包括衬底、设置于衬底上方的底部选择栅极(BSG)、位于BSG上方并且具有阶梯配置的多条字线，以及设置于衬底、BSG和多条字线之间的多个绝缘层。在公开的存储器件中，一个或多个第一电介质沟槽形成于BSG中并且沿衬底的长度方向延伸，以将BSG分隔成多个子BSG。此外，一个或多个公共源极区形成于衬底上方并且在衬底的长度方向上延伸。一个或多个公共源极区还延伸穿过BSG、多条字线和多个绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 字线 绝缘层 公共源极区 存储器件 长度方向延伸 电介质沟槽 阶梯配置 选择栅极 延伸穿过 分隔 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：/n衬底；/n底部选择栅极，所述底部选择栅极设置于所述衬底上方；/n多条字线，所述多条字线位于所述底部选择栅极上方并且具有阶梯配置；/n多个绝缘层，所述多个绝缘层设置于所述衬底、所述底部选择栅极和所述多条字线之间；/n一个或多个第一电介质沟槽，所述一个或多个第一电介质沟槽形成于所述底部选择栅极中并且沿所述衬底的长度方向延伸，以将所述底部选择栅极分隔成多个子底部选择栅极；以及/n一个或多个公共源极区，所述一个或多个公共源极区形成于所述衬底上方并且沿所述衬底的长度方向延伸，其中所述一个或多个公共源极区延伸穿过所述底部选择栅极、所述多条字线和所述多个绝缘层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880002892.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：三维存储器件及其制造方法
- 下一篇：距离传感器及距离图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
