[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880003267.2 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109643646B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 泷下博;吉村尚 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，从半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而形成第一半导体区；第二工序，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而在比所述第一半导体区浅的区域形成杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高的第二半导体区；第三工序，从所述半导体基板的一个主面照射第一激光而使所述第二半导体区活化，并且将所述半导体基板的一个主面的表面层熔融而使其再结晶化；以及第四工序，在所述第三工序之后，从所述半导体基板的一个主面照射波长比所述第一激光的波长长的第二激光而使所述第一半导体区活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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