[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置具备：作为漂移层(12)的半导体基板(11)；基极层(13)；多个沟槽(14)；发射极区域(15)；发射极电极(20)；集电极层(30)；集电极电极(31)；产生反转层的主栅极电极(18a)及不使所述反转层产生的伪栅极电极(18b)；共用的栅极焊盘(21a)；第一元件(24、33)，形成于所述伪栅极电极与所述栅极焊盘之间，若施加第一电压，则断开导通或限制导通，若施加极性相反的第二电压，则允许导通；以及第二元件(25、34)，形成于所述发射极电极与所述伪栅极电极以及所述第一元件的连接点之间，若施加所述第一电压则允许导通，若施加所述第二电压则断开导通或限制导通。

主权项

1.一种半导体装置，具备：半导体基板(11)，构成第一导电型的漂移层(12)；第二导电型的基极层(13)，形成于所述漂移层上；多个沟槽(14)，贯通所述基极层并达到所述漂移层；第一导电型的发射极区域(15)，以与所述沟槽接触的方式形成于所述基极层的表层部分；发射极电极(20)，连接于所述基极层以及所述发射极区域；第一导电型的集电极层(30)，相对于所述漂移层形成于与所述基极层相反的一侧；集电极电极(31)，连接于所述集电极层；栅极绝缘膜(17)，形成于所述沟槽的壁面；作为隔着所述栅极绝缘膜配置于所述沟槽内的栅极电极(18)的主栅极电极(18a)以及至少一个伪栅极电极(18b)，该主栅极电极(18a)通过电压的施加，产生将所述发射极电极与所述漂移层之间连接的反转层，该至少一个伪栅极电极(18b)对所述反转层的产生不起作用；所述主栅极电极以及所述伪栅极电极共用的栅极焊盘(21a)；第一元件(24、33)，形成于所述伪栅极电极与所述栅极焊盘之间，若为了使所述主栅极电极产生所述反转层而对所述栅极焊盘施加第一电压，则该第一元件断开导通或限制导通，以使所述伪栅极电极对所述反转层的产生不起作用，若对所述栅极焊盘施加与所述第一电压极性相反的第二电压，则该第一元件允许导通；以及第二元件(25、34)，形成于所述发射极电极与所述伪栅极电极以及所述第一元件的连接点之间，若施加所述第一电压则允许导通，若施加所述第二电压则断开导通或限制导通。