[发明专利]选择性催化还原系统有效
| 申请号： | 201880004736.2 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110023605B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李俊荣;朴钟赫;崔峻源;刘昶埙;林艺勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | F01N3/20 | 分类号： | F01N3/20;F01N3/28 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明说明了一种通过在选择性催化还原系统中的通常发生流量偏差的区域中包括挡板构件来改善流体的流量偏差的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 催化 还原 系统 | ||
【主权项】：
1.一种选择性催化还原系统，即SCR系统，所述SCR系统具有催化层，所述选择性催化还原系统包括：多个挡板构件，所述多个挡板构件位于与所述催化层的前端间隔开的位置处，并且所述多个挡板构件被设置为减小由于流体在至少一个方向上的过流断面的增大而引起的流量偏差，其中，所述挡板构件中的每一个包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别在所述过流断面增大的方向的正交方向上延伸，所述第一部分和所述第二部分是一体的，并且所述挡板构件中的每一个向所述流体的入口方向突出。
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