[发明专利]三维存储器器件的复合衬底有效
| 申请号： | 201880005190.2 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110088898B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 华文宇;夏志良;蒋阳波;刘藩东;洪培真;傅丰华;杨要华;曾明;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本公开内容教导一种用于三维存储器器件的方法和结构。所述方法包含提供底部衬底以及在底部衬底之上形成多个掺杂层，多个掺杂层包含在厚度范围内的总厚度，使得多个掺杂层的顶表面基本上是平坦的，并且多个掺杂层中的每个掺杂层的掺杂浓度沿着基本上垂直前述顶表面的方向基本上是均匀的。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 器件 复合 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成存储器中的衬底的方法，包含：提供底部衬底；以及在所述底部衬底之上形成多个掺杂层，其中：所述多个掺杂层具有在厚度范围内的总厚度，使得所述多个掺杂层的顶表面基本上是平坦的，并且所述多个掺杂层中的每个掺杂层的掺杂浓度沿着基本上垂直所述多个掺杂层的所述顶表面的方向基本上是均匀的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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