[发明专利]电测定型表面等离子共振传感器和其中使用的电测定型表面等离子共振传感器芯片有效
| 申请号： | 201880005271.2 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110199191B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 铃木博纪;贾尔斯·阿莉森;佐佐木雅纪;林弘毅;三泽弘明;上野贡生 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱信;国立大学法人北海道大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41;G01N27/00;H01L31/0232;H01L31/108 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电测定型表面等离子共振传感器，具备等离极化激元增强传感器芯片和电测定装置，上述等离极化激元增强传感器芯片是将依次配置有透明电极、n型透明半导体膜和等离子共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照上述棱镜、上述透明电极、上述n型透明半导体膜和上述等离子共振膜电极的顺序配置而成的；上述电测定装置由上述透明电极和上述等离子共振膜电极直接测定电流或电压。 | ||
| 搜索关键词： | 测定 表面 等离子 共振 传感器 其中 使用 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种电测定型表面等离子共振传感器，具备等离极化激元增强传感器芯片和电测定装置，所述等离极化激元增强传感器芯片是将依次配置有透明电极、n型透明半导体膜和等离子共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述透明电极、所述n型透明半导体膜和所述等离子共振膜电极的顺序配置而成的，所述电测定装置由所述透明电极和所述等离子共振膜电极直接测定电流或电压。
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