[发明专利]三维存储器件及其制作方法

摘要

公开了3D存储结构及形成方法的实施例。一种用于形成三维(3D)存储结构的方法包括在衬底上形成电介质层以及在3D存储结构的阶梯区域处、在电介质层中形成第一多个开口。方法还包括在3D存储结构的外围器件区域处、在电介质层中形成第二多个开口，以及在阶梯区域的第一多个开口中并且在外围器件区域的第二多个开口中形成至少一个硬掩模层。方法还包括使用至少一个硬掩模层蚀刻电介质层，以在相应的第一和第二多个开口的顶部部分中形成第一和第二多个过孔延伸区域。方法还包括在第一和第二多个开口中设置第一导电材料，以形成相应的第一和第二多个接触线。方法还包括在第一和第二多个过孔延伸区域中设置第二导电材料，以形成第一和第二多个接触焊盘，以及分别在第一和第二多个接触焊盘上形成第一和第二多个引线。

主权项

1.一种用于形成三维(3D)存储结构的方法，所述方法包括：在衬底上形成电介质层；在所述3D存储结构的阶梯区域处、在所述电介质层中形成第一多个开口；在所述3D存储结构的外围器件区域处在所述电介质层中形成第二多个开口；在所述阶梯区域的所述第一多个开口中并且在所述外围器件区域的所述第二多个开口中形成至少一个硬掩模层；使用所述至少一个硬掩模层蚀刻所述电介质层，以在相应的所述第一多个开口和所述第二多个开口的顶部部分中形成第一多个过孔延伸区域和第二多个过孔延伸区域；在所述第一多个开口和所述第二多个开口中设置第一导电材料，以形成相应的第一多个接触线和第二多个接触线；在所述第一多个过孔延伸区域和所述第二多个过孔延伸区域中设置第二导电材料，以形成第一多个接触焊盘和第二多个接触焊盘；以及分别在所述第一多个接触焊盘和所述第二多个接触焊盘上形成第一多个引线和第二多个引线。