[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880005361.1 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110140220B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 白川彻 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体芯片(10)的有源区(11)设置有配置IGBT的IGBT区域(1)、以及配置与该IGBT反向并联地连接的FWD的FWD区域(2)。FWD区域(2)在有源区(11)相互分离地配置有多个。IGBT区域(1)是被夹在多个FWD区域(2)之间的连续的区域。在IGBT区域(1)和FWD区域(2)，分别将第一栅极沟槽、第二栅极沟槽(31、32)配置为与半导体芯片(10)的正面平行且沿同一第一方向(X)延伸的条状的布局。FWD区域(2)的FWD的第二栅极沟槽(32)与IGBT区域(1)的IGBT的第一栅极沟槽(31)分离地配置。通过具备该构造，能够防止元件特性变差，能够提高半导体芯片(10)的散热性，并且能够提高设计自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：有源区，其设置于半导体基板，电流在所述有源区流通；第一元件区域，其设置于所述有源区，并配置有具有第一沟槽栅结构的第一元件；以及第二元件区域，其设置于所述有源区，并配置有具有第二沟槽栅结构的第二元件，所述第一沟槽栅结构具有：第一沟槽，其设置于所述半导体基板的第一主面侧；以及第一栅电极，其隔着第一栅极绝缘膜设置于所述第一沟槽的内部，所述第二沟槽栅结构具有：第二沟槽，其与所述第一沟槽分离地设置于所述半导体基板的第一主面侧；以及第二栅电极，其隔着第二栅极绝缘膜设置于所述第二沟槽的内部，所述第二元件区域相互分离地配置有多个，所述第一元件区域是被夹在多个所述第二元件区域之间的连续的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880005361.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
