[发明专利]三维存储器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201880005367.9 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN110140211B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 胡禺石;陶谦;杨号号;董金文;陈俊;吕震宇 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 刘柳;杨锡劢 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器件和制造方法。该方法可以包括：在衬底上形成交替电介质堆叠(S101)；形成穿透绝缘连接层和交替电介质堆叠的沟道孔(S102)；在沟道孔的底部形成外延层(S103)；形成覆盖沟道孔的侧壁和外延层的顶表面的功能层(S104)；形成覆盖功能层的保护层(S105)；去除在沟道孔的底部上的部分的功能层和保护层以形成暴露外延层的凹槽(S106)；横向扩展凹槽以暴露外延层的更大的表面(S107)；去除保护层(S108)；形成沟道结构以覆盖功能层以及外延层的暴露表面(S109)；将交替电介质堆叠转换为交替导体/电介质堆叠(S110)。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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