[发明专利]三维存储器设备的互连结构

摘要

3D NAND存储器设备(200)包括：衬底(202)；在衬底(202)上的、包括阶梯结构(212)的交替堆叠层(216)；垂直延伸穿过交替堆叠层(216)的阻挡结构(124、235)。交替堆叠层(216)包括介电质交替堆叠(214)和导体/介电质交替堆叠(210)。介电质交替堆叠(214)包括：至少被阻挡结构(124、235)环绕的介电层对。导体/介电质交替堆叠(210)包括导体/介电层对。存储器设备(200)还包括沟道结构(218)和狭缝结构(228)、蚀刻停止层(226)以及第一接触，所述沟道结构与狭缝结构中的每一者垂直延伸穿过导体/介电质交替堆叠(210)，所述蚀刻停止层(226)位于沟道结构(218)的一端上。以下各项中的每一项与各第一接触中的一个相接触：位于阶梯结构(212)中的导体/介电质交替堆叠(210)中的导体层(206)、蚀刻停止层(226)、以及狭缝结构(228)。

主权项

1.一种三维(3D)NAND存储器设备，包括：衬底；位于所述衬底上的交替堆叠层，所述交替堆叠层包括阶梯结构；阻挡结构，其垂直延伸穿过所述交替堆叠层，其中，所述交替堆叠层包括：(i)介电质交替堆叠，其包括至少被所述阻挡结构横向环绕的多个介电层对；以及(ii)导体/介电质交替堆叠，其包括多个导体/介电层对；沟道结构和狭缝结构，其均垂直延伸穿过所述导体/介电质交替堆叠；蚀刻停止层，其位于所述沟道结构的一端上；以及多个第一接触，其中，以下各项中的每一项是与所述多个第一接触中的一个相接触的：(i)位于所述阶梯结构中的所述导体/介电质交替堆叠中的导体层、(ii)所述蚀刻停止层以及(iii)所述狭缝结构。