[发明专利]三维存储器设备的开口布局

摘要

公开了半导体设备以及用于形成半导体设备的方法。用于形成设备开口的方法包括：在衬底(200)的第一区域(I)和第二区域(II)上形成材料层(600)，该第一区域(I)邻近第二区域(II)；在材料层上(600)形成掩模层(500)，该掩模层(500)覆盖第一区域(I)和第二区域(II)；以及在掩模层(500)上形成图案化层(101)。图案化层(101)覆盖第一区域(I)和第二区域(II)并且包括对应于第一区域(I)的开口。多个开口包含与第一区域(I)和第二区域(II)的交界相邻的第一开口(110)、以及离该交界较远的第二开口(120)。沿着与衬底(200)的顶面平行的平面，第一开口(110)的尺寸大于第二开口(120)的尺寸。

主权项

1.一种形成多个器件开口的方法，包括：在衬底的第一区域和第二区域上形成材料层，所述第一区域是与所述第二区域相邻的；在所述材料层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述第一区域和所述第二区域；在所述掩模层上形成图案化层，所述图案化层覆盖所述第一区域和所述第二区域，并且包括对应于所述第一区域的多个开口，其中，所述多个开口包括与所述第一区域和所述第二区域之间的边界相邻的第一开口、以及比所述第一开口离所述边界要远的第二开口，并且其中，沿着与所述衬底的顶面平行的平面，所述第一开口的尺寸大于所述第二开口的尺寸；使用所述图案化层来图案化所述掩模层，以形成被图案化的掩模层；以及使用所述被图案化的掩模层来图案化所述材料层。