[发明专利]用于三维存储器的外围电路的保护性结构以及制作方法有效
| 申请号： | 201880005606.0 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN110520992B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 霍宗亮;周文斌;赵治国;唐兆云;熊海林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体存储器器件(800)包括具有第一区(103)、第二区(105)以及第三区(106)的衬底(101)，第一区(103)具有外围器件，第二区(105)具有一个或多个存储器阵列，且第三区(106)在第一区(103)与第二区(105)之间。半导体存储器器件(800)还包括针对外围器件的保护性结构(862)。半导体存储器器件(800)的针对外围器件的保护性结构(862)包括第一电介质层(232)以及被设置在第一电介质层上的阻挡层(242)。半导体存储器器件(800)的针对外围器件的保护性结构(862)还包括被形成在阻挡层的侧壁(342t)和第一电介质层的侧壁(232s)上的电介质间隙壁(652s)，其中，保护性结构(862)被设置在第一区(103)和第三区(106)的至少一部分之上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三维 存储器 外围 电路 保护性 结构 以及 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件，包括：/n衬底，其具有第一区、第二区以及第三区，所述第一区具有外围器件，所述第二区具有一个或多个存储器阵列，所述第三区在所述第一区与所述第二区之间；以及/n保护性结构，其针对所述外围器件，所述保护性结构包括：/n第一电介质层；/n阻挡层，其被设置于所述第一电介质层上；以及/n电介质间隙壁，其被形成在所述阻挡层的侧壁和所述第一电介质层的侧壁上，/n其中，所述保护性结构是被设置在所述第一区和所述第三区的至少一部分之上的。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880005606.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
