[发明专利]具有稳定电荷倍增增益的EMCCD图像传感器

摘要

本发明题为“具有稳定电荷倍增增益的EMCCD图像传感器”。本发明公开了在电子倍增电荷耦合器件EMCCD图像传感器(14)中，在电荷倍增电极(201)下方的电介质堆叠中的电子陷阱(209)可能导致不期望的增益老化。为了减小增益老化漂移效应，可以形成电介质堆叠(304,305)，该电介质堆叠在电荷倍增电极下方的区中不包括电子陷阱。为了实现这个目的，可以在该电荷倍增电极下方的区中去除该电介质堆叠中的氮化硅(305)。因此，该EMCCD图像传感器可以在其操作寿命期间以稳定电荷载流子倍增增益制造。

主权项

1.一种具有至少一个电荷耦合器件寄存器(100)的电荷耦合器件(CCD)图像传感器(14)，所述至少一个电荷耦合器件寄存器包括：硅衬底(120)；多个栅极(101,103)，所述多个栅极形成在所述硅衬底上方；电荷倍增节段，其中电荷倍增栅极(102,104)在所述电荷倍增节段中插置在所述多个栅极中的栅极之间，并且其中在所述电荷倍增节段中传输的电子经历碰撞电离；和至少一个电介质层(304)，所述至少一个电介质层形成在所述电荷倍增栅极与所述硅衬底之间，其中所述至少一个电介质层在所述电荷倍增栅极与所述硅衬底之间没有电子陷阱。