[发明专利]间隙填充介电材料在审
| 申请号： | 201880006635.9 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110192272A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 雅米妮·潘迪;海伦·晓·徐;约瑟夫·T·肯尼迪 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于使半导体器件表面平面化的组合物，该组合物包含聚(甲基倍半硅氧烷)树脂；季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者；以及至少一种溶剂。聚(甲基倍半硅氧烷)树脂在该组合物的1重量％至40重量％的范围内。聚(甲基倍半硅氧烷)树脂具有500Da与5,000Da之间的重均分子量。季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者在该组合物的0.01重量％至0.20重量％的范围内。至少一种溶剂构成该组合物的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | 甲基倍半硅氧烷 树脂 氨基丙基三乙氧基硅烷 季铵盐 溶剂 半导体器件表面 重均分子量 间隙填充 介电材料 平面化 | ||
【主权项】：
1.一种用于使半导体器件表面平面化的组合物，所述组合物包含：聚(甲基倍半硅氧烷)树脂，所述聚(甲基倍半硅氧烷)树脂在所述组合物的1重量％至40重量％的范围内，所述聚(甲基倍半硅氧烷)树脂具有500Da与5,000Da之间的重均分子量；季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者，所述季铵盐和氨基丙基三乙氧基硅烷盐中的至少一者在所述组合物的0.01重量％至0.20重量％的范围内；和至少一种溶剂，所述至少一种溶剂构成所述组合物的剩余部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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