[发明专利]半导体激光器和用于制造这种半导体激光器的方法有效
| 申请号： | 201880007155.4 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110192312B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 胡贝特·哈尔布里特;安德烈亚斯·普洛斯尔;罗兰德·海因里希·恩茨曼;马丁·鲁道夫·贝林格 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/042;H01S5/02253;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片具有：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(41)；和光出射面(44)，所述光出射面垂直于半导体层序列(4)的生长方向(G)取向。此外，半导体激光器(1)包含衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽和分配激光辐射(L)，使得半导体激光器(1)优选是人眼安全的。衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由具有至少1.65或2.0的折射率的材料构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 用于 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：‑至少一个表面发射的半导体激光器芯片(4)，所述半导体激光器芯片包括：半导体层序列(40)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的至少一个有源区(41)；并且包括光出射面(44)，所述光出射面垂直于所述半导体层序列(4)的生长方向(G)取向，以及‑衍射光学元件(3)，所述衍射光学元件设计用于扩宽所述激光辐射(L)和使所述激光辐射散布开，其中‑所述衍射光学元件(3)的光学有效结构(33)由关于所述激光辐射(L)的最大强度的波长具有至少1.65的折射率的材料构成，以及‑所述半导体激光器(1)由于通过所述衍射光学元件(3)而使所述激光辐射(L)扩宽和散布开是人眼安全的。
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