[发明专利]受限相变存储器与阈值切换材料的集成在审
| 申请号： | 201880007224.1 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110178237A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 金完起;林仲汉;R·布鲁塞;F·卡塔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;辛鸣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 相变存储器阵列以及用于制造相变存储器阵列的方法。相变存储器阵列包括多个底部电极、顶部电极和存储器柱。存储器柱中的每个存储器柱包括由介电壳体围绕的相变材料。相变材料被定位在来自底部电极的相应底部电极和来自顶部电极的相应顶部电极之间并与它们在串联电路中。选择器材料的连续层被定位在存储器柱和多个底部电极之间。选择器材料被配置为仅当跨选择器材料的电压超过电压阈值时导电。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 底部电极 相变存储器阵列 顶部电极 选择器 相变材料 电压超过电压 相变存储器 串联电路 介电壳体 阈值切换 连续层 阈值时 导电 受限 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器阵列，包括：多个底部电极；多个顶部电极；多个存储器柱，所述存储器柱中的每个存储器柱包括由介电壳体围绕的相变材料，所述相变材料被定位在来自所述多个底部电极的相应底部电极和来自所述多个顶部电极的相应顶部电极之间，并且与所述相应底部电极和所述相应顶部电极在串联电路中；以及选择器材料的连续层，被定位在所述存储器柱和所述多个底部电极之间，所述选择器材料被配置为仅当跨所述选择器材料的电压超过电压阈值时导电。
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