[发明专利]咔唑衍生物

摘要

本发明涉及咔唑衍生物，尤其是用于电子器件中的咔唑衍生物。本发明还涉及用于制备本发明化合物的方法以及包含所述化合物的电子器件。

主权项

1.一种化合物，其包含至少一种式(I)的结构，其中所用的符号如下：X在每种情况下相同或不同并且是N或CR¹，优选是CR¹，或者如果吲哚基团与X键合，则X为C；W¹是O、S、C(R¹)₂、P(＝O)Ar或Si(R¹)₂；R¹在每种情况下相同或不同并且是H；D；F；Cl；Br；I；CN；NO₂；N(Ar¹)₂；N(R²)₂；C(＝O)Ar¹；C(＝O)R²；P(＝O)(Ar¹)₂；P(Ar¹)₂；B(Ar¹)₂；B(OR²)₂；Si(Ar¹)₃；Si(R²)₃；具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有2至40个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被‑R²C＝CR²‑、‑C≡C‑、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、‑C(＝O)O‑、‑C(＝O)NR²‑、NR²、P(＝O)(R²)、‑O‑、‑S‑、SO或SO₂代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替；或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团；或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R¹基团一起可形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；Ar在每种情况下相同或不同并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；Ar¹在每种情况下相同或不同并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合至同一硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个Ar¹基团也可经由单键桥连基或选自以下的桥连基连接在一起：B(R²)、C(R²)₂、Si(R²)₂、C＝O、C＝NR²、C＝C(R²)₂、O、S、S＝O、SO₂、N(R²)、P(R²)和P(＝O)R²；R²在每种情况下相同或不同并且是H；D；F；Cl；Br；I；CN；B(OR³)₂；NO₂；C(＝O)R³；CR³＝C(R³)₂；C(＝O)OR³；C(＝O)N(R³)₂；Si(R³)₃；P(R³)₂；B(R³)₂；N(R³)₂；NO₂；P(＝O)(R³)₂；OSO₂R³；OR³；S(＝O)R³；S(＝O)₂R³；具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R³基团取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被‑R³C＝CR³‑、‑C≡C‑、Si(R³)₂、Ge(R³)₂、Sn(R³)₂、C＝O、C＝S、C＝NR³、‑C(＝O)O‑、‑C(＝O)NR³‑、NR³、P(＝O)(R³)、‑O‑、‑S‑、SO或SO₂代替并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替；或具有5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R³基团取代的芳族或杂芳族环系；或具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R³基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；或这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的R²取代基一起也可形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系；R³在每种情况下相同或不同并且选自：H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I或CN代替并且其可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代；同时，两个或更多个优选相邻的R³取代基一起也可形成单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族环系。