[发明专利]磁阻元件以及磁阻元件的制造方法有效
| 申请号： | 201880008084.X | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN110199352B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 安藤康夫;大兼干彦;藤原耕辅;城野纯一;关根孝二郎;土田匡章 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;柯尼卡美能达株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王海奇;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4的b、图4的c)；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4的d)；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4的e)；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4的f)；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4的g)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻元件的制造方法，是磁阻效应元件的制造方法，包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜、和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层；第二工序，以绝缘膜覆盖保护上述层叠膜；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口以使上述覆盖层的表面在该开口露出；第四工序，对通过上述第三工序在上述开口露出的上述覆盖层的表面进行离子铣削，来对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻；以及第五工序，与在上述第四工序后保留的上述覆盖层的表面接触地对成为产品的一部分的上部层进行成膜。
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