[发明专利]半导体基板的处理方法和半导体基板的处理装置

摘要

本发明提供一种在使形成有集成电路芯片的半导体晶圆的背面侧(另一面侧)的厚度减小的工序之前在表面侧(一面侧)形成保护膜时能够实现保护膜的平坦化的技术。本发明的半导体基板的处理装置具备将剥离用的固化剂(11)涂布于晶圆(W)的表面侧的模块(51)、通过照射紫外线来使固化剂(11)固化的模块(54)、将保护膜用的固化剂(12)涂布于固化剂(11)之上的模块(52)、接着在利用由玻璃板构成的按压构件(14)对固化剂的表面进行按压的状态下通过照射紫外线来使固化剂(12)固化的模块(56)、之后对晶圆(W)进行背面磨削的装置(G)、将切割用带粘接于晶圆(W)的背面侧的模块、之后向晶圆(W)的表面侧照射激光来使固化剂(11)变质而产生气体以将固化剂(11、12)从晶圆(W)剥离的模块。

主权项

1.一种半导体基板的处理方法，其特征在于，包括以下工序：将保护膜用的固化剂涂布于在一面侧形成有多个集成电路芯片的半导体基板的该一面侧；接着，使所述固化剂的表面平坦化；向所述固化剂供给能量来使该固化剂固化以形成作为固化剂层的保护膜；然后，对所述半导体基板的另一面侧进行切削来减小厚度；之后，将切割用的保持体粘接于所述半导体基板的另一面侧；接着，将所述保护膜从半导体基板去除。