[发明专利]用于改进的FINFET的系统、方法和装置在审
| 申请号： | 201880008582.4 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN110226232A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 刘彦翔;杨海宁 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 为了避免与电介质上的低密度旋涂相关联的问题，本公开的一些示例包括finFET，该finFET含有具有不同密度的氧化物材料。例如，一个这样的finFET可以包括位于相邻鳍之间的间隙中的氧化物材料，氧化物材料直接接触多个鳍中的相邻鳍，多个鳍具有接近氧化物材料的顶层的第一密度以及接近氧化物材料的底层的第二密度，并且其中第一密度大于第二密度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物材料 电介质 方法和装置 顶层 旋涂 关联 改进 | ||
【主权项】：
1.一种finFET，包括：多个鳍，彼此分离以在所述多个鳍中的相邻鳍之间形成多个间隙；氧化物材料，位于所述多个间隙中，所述氧化物材料直接接触所述多个鳍中的所述相邻鳍，所述氧化物材料具有接近所述氧化物材料的顶层的第一密度和接近所述氧化物材料的底层的第二密度；并且其中所述第一密度大于所述第二密度。
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