[发明专利]制造探测器的子组件的方法有效
| 申请号： | 201880008710.5 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110546532B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 米科·马蒂卡拉;阿瑞西·斯坦格 | 申请（专利权）人： | 芬兰探测技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/29 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 尚玲;陈万青 |
| 地址： | 芬兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施例的一种方法，包括：配置面板作为用于高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的入射窗；在面板上附接偏置板，其中，偏置板被配置成导电的并使得辐射通过偏置板；以及将贴片阵列附接到偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器配置在偏置板上，其中，每个贴片包括直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；其中，直接转换化合物半导体传感器被配置成将高能电磁(例如X射线或伽马射线)辐射的光子转换成电流；以及其中，读出IC层位于直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收电流并处理电流。其他实施例涉及包括组件阵列的探测器，以及包括X射线源和探测器的成像系统。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 探测器 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：/n配置面板作为用于高能X射线或伽马射线电磁辐射的入射窗；/n在所述面板上附接偏置板，其中，所述偏置板被配置成导电的并使得所述辐射通过所述偏置板；以及/n将贴片的阵列附接到所述偏置板上使得直接转换化合物半导体传感器被配置在所述偏置板上，其中，每个贴片包括所述直接转换化合物半导体传感器和读出集成电路IC层；/n其中，所述直接转换化合物半导体传感器被配置成将所述X射线或伽马射线辐射的光子转换成电流；以及/n其中，所述读出IC层位于所述直接转换化合物半导体传感器旁边，并被配置成接收所述电流并处理所述电流。/n
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