[发明专利]NAND存储器阵列以及形成NAND存储器阵列的方法在审
| 申请号： | 201880009133.1 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN110249428A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 合田晃;Y·胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11582;H01L27/11568;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包含一种具有交替式绝缘层级和字线层级的竖直堆叠的NAND存储器阵列。所述字线层级具有对应于控制栅极区域的末端。电荷捕集材料沿着所述字线层级的所述控制栅极区域，并且通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区域间隔开。沿着竖直相邻字线层级的所述电荷捕集材料通过中介区域间隔开，其中阻止穿过所述中介区域的电荷迁移。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸并且通过电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。一些实施例包含形成NAND存储器阵列的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 层级 字线 捕集材料 控制栅极 电荷 区域间隔 电荷阻挡材料 电荷迁移 电荷隧穿 沟道材料 竖直堆叠 竖直延伸 交替式 中介 堆叠 竖直 绝缘 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器阵列，其包括：交替式绝缘层级和字线层级的竖直堆叠，所述字线层级具有对应于控制栅极区域的末端；电荷捕集材料，其沿着所述字线层级的所述控制栅极区域，并且通过电荷阻挡材料与所述控制栅极区域间隔开；沿着竖直相邻字线层级的所述电荷捕集材料通过中介区域间隔开，其中阻止穿过所述中介区域的电荷迁移；和沟道材料，其沿着所述堆叠竖直延伸并且通过电荷隧穿材料与所述电荷捕集材料间隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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