[发明专利]集成式结构、NAND存储器阵列和形成集成式结构的方法

摘要

一些实施例包含一种具有交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠的集成式结构。所述导电层级包含具有第一竖直厚度的主区，并包含具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度的端突出部。电荷阻挡材料邻近于所述端突出部。电荷存储材料邻近于所述电荷阻挡材料。栅极介电材料邻近于所述电荷存储材料。沟道材料邻近于所述栅极介电材料。一些实施例包含NAND存储器阵列。一些实施例包含形成集成式结构的方法。

主权项

1.一种集成式结构，其包括：交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠；所述导电层级具有带有第一竖直厚度的主区，并具有带有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度的端突出部；电荷阻挡材料，其邻近于所述端突出部；电荷存储材料，其邻近于所述电荷阻挡材料；栅极介电材料，其邻近于所述电荷存储材料；以及沟道材料，其邻近于所述栅极介电材料。