[发明专利]用于测量三维半导体晶片上的掩埋缺陷的三维校准结构及方法

摘要

本发明公开一种用于测量半导体装置上的掩埋缺陷的三维校准结构。所述三维校准结构包含具有一或多个经编程表面缺陷的缺陷标准晶片DSW。所述三维校准结构包含沉积于所述DSW上的平坦化层。所述三维校准结构包含沉积于所述平坦化层上的层堆叠。所述层堆叠包含两个或多于两个交替层。所述三维校准结构包含沉积于所述层堆叠上的罩盖层。在沉积所述罩盖层之后，在所述层堆叠中形成一或多个气隙。所述三维校准结构包含形成到所述罩盖层、所述层堆叠或所述平坦化层中的至少一者中的一或多个孔。

主权项

1.一种系统，其包括：控制器，其中所述控制器包含经配置以从特性化工具接收一或多个测量值的一或多个处理器，其中所述控制器包含经配置以存储程序指令集的存储器，其中所述一或多个处理器经配置以执行所述程序指令集，其中所述程序指令集经配置以引起所述一或多个处理器：接收三维校准结构的一或多个测量值；接收样本的一或多个测量值；及基于所述三维校准结构的所述一或多个接收到的测量值校正所述样本的所述一或多个接收到的测量值。