[发明专利]用于射频应用的结构有效
| 申请号： | 201880009739.5 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110235238B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | E·德斯邦内特斯;伯纳德·阿斯帕 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王小东;黄纶伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于射频应用的结构(100)，该结构(100)包括：高电阻率支撑衬底(1)，该衬底的前表面(1a)限定主平面；电荷俘获层(2)，该电荷俘获层(2)布置在所述支撑衬底(1)的所述前表面(1a)上；第一介电层(3)，该第一介电层(3)布置在所述俘获层(2)上；有源层(4)，该有源层(4)布置在所述第一介电层(3)上，所述结构(100)的特征在于，所述结构包括布置在所述俘获层(2)上方或内部的至少一个掩埋电极(10)，该电极(10)包括导电层(11)和第二介电层(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 应用 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于RF应用的结构(100)，该结构(100)包括：·高电阻率支撑衬底(1)，该支撑衬底的前表面(1a)限定主平面，·电荷俘获层(2)，该电荷俘获层(2)布置在所述支撑衬底(1)的所述前表面(1a)上，·第一介电层(3)，该第一介电层(3)布置在所述俘获层(2)上，·有源层(4)，该有源层(4)布置在所述第一介电层(3)上，所述结构(100)的特征在于，所述结构包括布置在所述俘获层(2)上方或内部的至少一个掩埋电极(10)，该电极(10)包括导电层(11)和第二介电层(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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