[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201880010334.3 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110249074B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 砂本昌利;上野隆二 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/26 | 分类号： | C23C18/26;C23C18/42;H01L21/288;H01L21/52;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在具有表侧电极以及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上形成有非电解镀层的半导体元件。非电解镀层具有非电解镍磷镀层和形成于非电解镍磷镀层上的非电解镀金层，在非电解镀的作为被焊料接合的面的表面形成有多个凹部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，在具有表侧电极以及背侧电极的表背导通型基板的至少单侧的电极上形成有非电解镀层，所述半导体元件的特征在于，所述至少单侧的电极的表面平坦，所述非电解镀层具有形成于所述至少单侧的电极上的非电解镍磷镀层和形成于所述非电解镍磷镀层上的非电解镀金层，在所述非电解镀层的作为被焊料接合的面的表面形成有凹部。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
