[发明专利]真空处理系统以及操作真空处理系统的方法在审
| 申请号： | 201880010466.6 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110651361A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·班格特;沃尔夫冈·布什贝克;托马斯·伯杰 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述一种用于输送带有基板的载体的真空处理系统。所述系统包括：第一真空处理腔室，所述第一真空处理腔室用于处理所述载体上的所述基板；真空缓冲腔室，所述真空缓冲腔室为所述基板提供处理时间延迟；第二真空处理腔室，所述第二真空处理腔室用于在所述基板上掩蔽沉积材料层；以及一个或多个传送腔室，所述一个或多个传送腔室用于从所述第一真空处理腔室输送所述载体至所述真空缓冲腔室，以及用于从所述真空缓冲腔室输送所述载体至所述第二真空处理腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 真空处理腔室 真空缓冲腔 基板 传送腔室 真空处理系统 掩蔽 沉积材料层 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理系统，用于输送带有待处理的基板的载体，所述真空处理系统包括：/n第一真空处理腔室，用于处理所述载体上的所述基板；/n真空缓冲腔室，为所述基板提供处理时间延迟；/n第二真空处理腔室，用于在所述基板上掩蔽沉积材料层；以及/n一个或多个传送腔室，用于从所述第一真空腔室输送所述载体至所述真空缓冲腔室以及用于从所述真空缓冲腔室输送所述载体至所述第二真空腔室。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
