[发明专利]再生多硫化物清除层的制造方法以及锂-硫电池在审
申请号: | 201880011264.3 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN111066194A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 卢云峰;徐建国;沈力 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学校务委员会;福特切尔国际有限公司 |
主分类号: | H01M10/42 | 分类号: | H01M10/42;H01M2/16;H01M10/052;H01M4/38 |
代理公司: | 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 | 代理人: | 朱振德 |
地址: | 美国加利福尼亚州奥克*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种再生多硫化物清除层(RSL)的制造方法。该方法包括将金属氧化物的纳米线或纳米晶体嵌入纳米碳管(CNTs)的膜、用嵌入的金属氧化物的纳米线或纳米晶体和该膜形成RSL,以使锂‑硫电池具有高能量密度和延长循环寿命。本发明还公开了一种包括RSL的锂‑硫电池。 | ||
搜索关键词: | 再生 硫化物 清除 制造 方法 以及 电池 | ||
【主权项】:
暂无信息
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