[发明专利]通过FZ法提拉单晶的方法和设备有效
| 申请号： | 201880011568.X | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN110291230B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | T·施勒克 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B13/20 | 分类号： | C30B13/20;C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及通过FZ法提拉单晶的方法，其中借助于电磁熔化装置熔化多晶，然后使其再结晶，其中在第一阶段(P |
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| 搜索关键词： | 通过 fz 法提拉单晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种通过FZ法提拉单晶(150)的方法，其中借助于电磁熔化装置(300)熔化多晶(100)，然后使其再结晶，其中在第一阶段(P1)中，借助于所述熔化装置(300)熔化朝向熔化装置(300)移动的所述多晶(100)的下端，以形成液滴(120)，以及其中在第二阶段(P2)中，使单晶晶种(140)附着至所述多晶(100)的所述下端，并从所述晶种(140)的上端开始熔化，其中，在第一阶段(P1)期间和在第二阶段(P2)期间，熔化装置(300)的功率(P)至少暂时地根据包含液滴(120)和/或晶种(140)和/或多晶(100)的所使用的晶体材料的温度和/或几何尺寸(d,h)而预先确定。
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