[发明专利]电极环在审
申请号: | 201880012590.6 | 申请日: | 2018-02-16 |
公开(公告)号: | CN110537250A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 碇敦;藤井智 | 申请(专利权)人: | 日本新工芯技株式会社 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H05H1/46 |
代理公司: | 11247 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;王潇悦<国际申请>=PCT/JP |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种将多个硅构件接合而成的电极环。一种设置在对基板进行等离子处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内的电极环,其特征在于,具备在一个方向上对接的多个第1硅构件(34)、以及在跨越对接的所述多个第1硅构件(34)彼此的位置被嵌入的嵌入式硅构件(64A),在所述多个第1硅构件(34)与所述嵌入式硅构件(64A)之间设有将所述多个第1硅构件(34)与所述嵌入式硅构件(64A)接合的接合部(68)。 | ||
搜索关键词: | 硅构件 嵌入式 接合 电极环 基板处理装置 等离子处理 收纳 对基板 接合部 嵌入的 基板 室内 | ||
【主权项】:
1.一种电极环,是设置在对基板进行等离子处理的基板处理装置的收纳所述基板的处理室内的电极环,其特征在于,具备:/n在一个方向上对接的多个第1硅构件;以及/n在跨越对接的所述多个第1硅构件彼此的位置被嵌入的嵌入式硅构件,/n在所述多个第1硅构件与所述嵌入式硅构件之间设有将所述多个第1硅构件与所述嵌入式硅构件接合的接合部。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本新工芯技株式会社,未经日本新工芯技株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880012590.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:使用神经网络来监测的抛光装置
- 下一篇:半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造