[发明专利]用于测量厚膜和高长宽比结构的方法和系统

摘要

在本文中呈现用于执行包含大于二微米的紫外线、可见光和红外线波长的半导体结构的光谱测量的方法和系统。光谱测量系统包含组合照明源，所述组合照明源包含第一照明源和第二照明源，所述第一照明源产生紫外线、可见光和近红外线波长(小于二微米的波长)，所述第二照明源产生中间红外线和长红外线波长(二微米和更大的波长)。此外，所述光谱测量系统包含一或多个跨越用于执行半导体结构的测量的照明波长范围的测量通道。在一些实施例中，所述一或多个测量通道在所述整个波长范围内同时测量样本。在一些其它实施例中，所述一或多个测量通道在所述整个波长范围内依序测量所述样本。

主权项

1.一种光谱计量系统，其包括：组合照明源，其包含第一照明源和第二照明源，所述第一照明源被配置成产生包含小于二微米的波长的第一量的照明光，所述第二照明源被配置成产生包含大于二微米的波长的第二量的照明光；照明光学件子系统，其被配置成以一或多个入射角、一或多个方位角或其组合将来自所述组合照明源的所述第一量和第二量的照明光引导到被测量样品的表面上的测量光点；收集光学件子系统，其被配置成从所述样品的所述表面上的所述测量光点收集一定量的所收集光；至少一个检测器，其具有对入射光灵敏的平坦二维表面，其中所述至少一个检测器包含各自具有不同光敏性的两个或更多个不同表面区域，其中所述两个或更多个不同表面区域与跨所述至少一个检测器的所述表面的波长分散方向对齐，所述至少一个检测器被配置成检测所述入射光并且产生指示所述所检测到的入射光的输出；和计算系统，其被配置成基于所述至少一个检测器的所述输出的分析来产生所述被测量样品的受关注参数的估计值。