[发明专利]单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置有效
| 申请号： | 201880013134.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110678585B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 杉村涉;宝来正隆 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适合供于功率器件的、晶体生长方向上的电阻率的公差小的n型且高电阻的单晶硅锭的制造方法及单晶硅培育装置。在通过利用提拉法的单晶硅培育装置将Sb或As作为n型掺杂剂的单晶硅锭的制造方法中进行：测定工序，一边提拉单晶硅锭(1)，一边测定构成元素中包含所述n型掺杂剂的化合物气体的气体浓度；及提拉条件值调整工序，以使所述测定的气体浓度落入到目标气体浓度的范围内的方式调整包含腔室(30)内的压力、Ar气体的流量以及引导部(70)及硅熔液(10)的间隔(G)中的至少任一个的提拉条件值。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 培育 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅锭的制造方法，其利用单晶硅培育装置制造单晶硅锭，所述单晶硅培育装置具有：坩埚，储存硅熔液；腔室，容纳该坩埚；压力调整部，调整该腔室内的压力；提拉部，从所述硅熔液提拉单晶硅锭；气体供给部，向所述腔室内供给Ar气体；气体排出部，从所述腔室排出所述Ar气体；及引导部，配置在所述硅熔液的表面的上方，且以使所述Ar气体沿着所述硅熔液的表面流动的方式进行引导，所述单晶硅锭的制造方法的特征在于，/n所述硅熔液中添加有n型掺杂剂，/n所述单晶硅锭的制造方法包括：/n提拉工序，通过提拉法提拉所述单晶硅锭；/n测定工序，一边进行所述提拉工序，一边测定构成元素中包含所述n型掺杂剂的掺杂剂气体的气体浓度；及/n提拉条件值调整工序，一边进行所述提拉工序，一边以使所述测定的气体浓度落入到目标气体浓度的范围内的方式调整包含所述腔室内的压力、所述Ar气体的流量以及所述引导部及所述硅熔液的间隔中的至少任一个的提拉条件值。/n
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