[发明专利]实现VCSEL阵列或VCSEL器件的集成电路在审
| 申请号： | 201880013430.3 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN110383486A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 杰弗·W·泰勒;蔡建红 | 申请（专利权）人： | 杰弗·W·泰勒;蔡建红 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L33/02;H01L33/04;H01S3/08;H01S5/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑冀之;陈岚 |
| 地址： | 美国新罕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括多个VCSEL器件（或一个VCSEL器件)，其由包括以下项的层结构形成：（一个或多个）底部n型层、（一个或多个）中间p型层、形成在（一个或多个）中间p型层之上的n型调制掺杂量子阱结构、形成在（一个或多个）中间p型层和n型调制掺杂量子阱结构之间的至少一个间隔物层以及（一个或多个）顶部p型层。退火的氧注入区垂直设置在至少一个间隔物层内，以及退火的n型离子注入区垂直设置在（一个或多个）顶部p型层内。两个离子注入区可以以连续的方式在多个VCSEL器件之间围绕并横向延伸，以用于电流汇集和隔离。此外，相对于针对底部n型层的内建电子电荷Qn，针对中间p型层的内建空穴电荷Qp可以配置用于（一个或多个）VCSEL器件的类二极管电流‑电压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 退火 量子阱结构 垂直设置 调制掺杂 间隔物层 内建 半导体器件 二极管电流 离子注入区 电流汇集 电压特性 电子电荷 横向延伸 空穴电荷 层结构 氧注入 集成电路 隔离 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括:多个垂直腔表面发射激光（VCSEL）器件，所述多个垂直腔表面发射激光（VCSEL）器件由包括以下项的层结构形成：至少一个底部n型层、形成在所述至少一个底部n型层之上的至少一个中间p型层、形成在所述至少一个中间p型层之上的n型调制掺杂量子阱结构、形成在所述至少一个中间p型层和所述n型调制掺杂量子阱结构之间的至少一个间隔物层、以及形成在所述n型调制掺杂量子阱结构之上的至少一个顶部p型层；退火的氧注入区，所述退火的氧注入区在所述层结构中垂直设置在所述至少一个间隔物层内，并且配置为以连续的方式在所述多个VCSEL器件之间围绕并横向延伸；以及退火的n型离子注入区，所述退火的n型离子注入区在所述层结构中垂直设置在所述至少一个顶部p型层内，并且配置为覆在所述退火的氧注入区上且以连续的方式在所述多个VCSEL器件之间围绕并横向延伸。
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