[发明专利]用以减少电弧的氦气插塞设计在审
| 申请号： | 201880013451.5 | 申请日： | 2018-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN110337714A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郝芳莉;付越虹;陈志刚 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/02;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种衬底支撑件包括：基板；陶瓷层，其布置在所述基板上；结合层，其布置在所述基板和所述陶瓷层之间的第一间隙中；通道，其穿过所述基板、所述结合层和所述陶瓷层形成；和插塞，其布置在所述通道中。所述插塞包括布置在所述基板中的下部和布置在所述陶瓷层中的上部。所述下部包括凹穴和围绕所述凹穴的侧壁。所述上部在所述陶瓷层和所述第一间隙下方延伸到所述凹穴中，所述下部的所述侧壁与所述上部重叠，以及所述上部和所述下部之间的第二间隙位于所述第一间隙下方的所述下部的所述凹穴内。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷层 基板 凹穴 插塞 结合层 侧壁 电弧 衬底支撑件 氦气 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种衬底支撑件，其包括：基板；陶瓷层，其布置在所述基板上；结合层，其布置在所述基板和所述陶瓷层之间的第一间隙中；通道，其穿过所述基板、所述结合层和所述陶瓷层形成；和插塞，其布置在所述通道中，所述插塞包括布置在所述基板中的下部，其中所述下部包括凹穴和围绕所述凹穴的侧壁；和布置在所述陶瓷层中的上部，其中(i)所述上部在所述陶瓷层和所述第一间隙下方延伸到所述凹穴中，(ii)所述下部的所述侧壁与所述上部重叠，以及(iii)所述上部和所述下部之间的第二间隙位于所述第一间隙下方的所述下部的所述凹穴内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
