[发明专利]掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法

摘要

在透光性基板(1)上层叠有由含有选自硅及钽中的一种以上的元素的材料构成的遮光膜(2)和由含有铬、氧以及碳的材料构成的硬质掩膜(3)。硬质掩膜(3)是在该表面及其附近区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，通过X射线光电子能谱法分析而得到的(N1s)的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，硬质掩膜(3)的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，在通过X射线光电子能谱法分析而得到的(Cr2p)的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。

主权项

1.一种掩模坯料，具备在透光性基板上依次层叠有遮光膜及硬质掩膜的结构，其特征在于，所述遮光膜由含有选自硅及钽的一种以上的元素的材料构成，所述硬质掩膜是在所述遮光膜侧的相反侧的表面及其附近的区域具有氧含量增加的组分倾斜部的单层膜，所述硬质掩膜由含有铬、氧以及碳的材料构成，所述硬质掩膜的除组分倾斜部之外的部分的铬含量为50原子％以上，所述硬质掩膜的通过X射线光电子能谱法分析而得到的N1s的窄谱的最大峰值为检测下限值以下，对于所述硬质掩膜的除组分倾斜部之外的部分而言，通过X射线光电子能谱法分析而得到的Cr2p的窄谱在574eV以下的结合能处具有最大峰值。