[发明专利]Cu-Ga合金溅射靶及Cu-Ga合金溅射靶的制造方法有效
| 申请号： | 201880014267.2 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110337508B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 森晓;梅本启太;桥本周;武田拓真 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C9/00;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的Cu‑Ga合金溅射靶具有如下组成：作为金属成分，以20原子％以上且45原子％以下的范围含有Ga，进一步以合计0.1原子％以上且2原子％以下的范围含有K及Na，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，在Cu‑Ga合金的母相中分散有包含Na、K及F的复合氟化物，所述复合氟化物的内切圆的最大直径为30μm以下，在将所述复合氟化物中的Na的原子比设为[Na]且将所述复合氟化物中的K的原子比设为[K]的情况下，[Na]/([Na]+[K])在0.3以上且0.9以下的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | cu ga 合金 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
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