[发明专利]半导体纳米粒子及其制造方法、以及发光器件有效
| 申请号： | 201880014289.9 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110337481B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 鸟本司;龟山达矢;岸茉莉乃;宫前千惠;桑畑进;上松太郎;小谷松大祐;仁木健太 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人名古屋大学;国立大学法人大阪大学;日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;B82Y30/00;B82Y40/00;C01G15/00;C09K11/08;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张毅群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体纳米粒子，其显示频带边缘发光，并且具有短波长的发光峰值波长。半导体纳米粒子包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下。另外，半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 粒子 及其 制造 方法 以及 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体纳米粒子，其包含Ag、In、Ga及S，Ga的原子数相对于In和Ga的总原子数之比为0.95以下，所述半导体纳米粒子发出在500nm以上且不足590nm的范围内具有发光峰值波长、且发光峰的半值宽度为70nm以下的光，其平均粒径为10nm以下。
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