[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880014453.6 | 申请日： | 2018-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN110383489B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 熊田恵志郎;桥爪悠一;星保幸;铃木启久 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522;H01L29/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体装置具备：设置于第1导电型的半导体基板(1)的正面的第1导电型的第1半导体层(2)、第2导电型的第2半导体层(3)、第1导电型的第1半导体区(7)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的条纹形状的栅极(10)。另外，还具备设置于第2半导体层(3)和第1半导体区(7)的表面的第1电极(13)、选择性地设置于第1电极(13)上的镀膜(16)和将提取外部信号的针状电极(19)粘着于镀膜(16)上的焊料(17)。栅极(10)在与设置有焊料(17)和镀膜(16)的第1电极(13)对置的区域中具有沿着与条纹形状相交的方向延伸的凸部分，栅极(10)彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基板的正面，且杂质浓度比所述半导体基板的杂质浓度低；第2导电型的第2半导体层，其选择性地设置于所述第1半导体层的与所述半导体基板侧为相反侧的表面；第1导电型的第1半导体区，其选择性地设置于所述第2半导体层的与所述半导体基板侧为相反侧的表面层；栅极，其隔着栅极绝缘膜设置于所述第2半导体层的与所述半导体基板侧相反的一侧；层间绝缘膜，其设置于所述栅极上；条纹形状的接触孔，其以将所述第2半导体层和所述第1半导体区露出的方式设置于所述层间绝缘膜；第1电极，其设置于所述第2半导体层和所述第1半导体区的表面；镀膜，其选择性地设置于所述第1电极上；所述镀膜上的焊料；以及第2电极，其设置于所述半导体基板的背面，在设置有所述镀膜的区域中，所述接触孔分别至少具有1个沿着与所述条纹形状相交的方向延伸的凸部分。
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