[发明专利]校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法有效
申请号: | 201880014619.4 | 申请日: | 2018-02-27 |
公开(公告)号: | CN110352365B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | J.卡尔登 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G02B1/12 | 分类号: | G02B1/12;G02B5/08;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王蕊瑞 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件的方法,该反射光学元件包括基板上的多层系统,该多层系统包括由在极紫外波长范围中的波长处具有不同折射率实部的至少两个交替布置的不同材料构成的层。所述方法包括以下步骤:测量所述多层系统的表面之上的反射率分布;将所测得的反射率分布与在多层系统的表面之上的标称反射率分布相比较,并且确定至少一个部分表面,其具有的测得的反射率大于标称反射率;以及用离子或电子辐射至少一个部分表面。 | ||
搜索关键词: | 校正 用于 nm 20 之间 波长 范围 反射 光学 元件 方法 | ||
【主权项】:
1.一种方法,校正用于从5nm到20nm的波长范围的反射光学元件,所述反射光学元件在基板上具有多层系统,其中所述多层系统的层由在极紫外波长范围的波长处具有不同折射率实部的至少两个不同材料制成,所述层交替地布置,所述方法具有以下步骤:‑测量所述多层系统的表面之上的反射率分布;‑将所测得的反射率分布与在所述多层系统的表面之上的目标反射率分布相比较,并且确定一个或多个部分表面,该一个或多个部分表面具有的测得的反射率大于所述目标反射率;以及‑用离子或电子辐射所述一个或多个部分表面。
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