[发明专利]功率模块、反向导通IGBT及驱动电路

摘要

本发明提供能够提高反向导通IGBT的控制性的功率模块、反向导通IGBT和驱动电路。上述功率模块具备：功率半导体芯片(3)，其在同一芯片内形成有IGBT(31)和续流二极管(32)；以及驱动电路(2)，其与功率半导体芯片(3)连接，对IGBT(31)进行导通/关断驱动，上述功率模块(1)是将功率半导体芯片(3)和驱动电路(2)封装化而成的功率模块，上述功率模块还具备串联配置在IGBT(31)的发射极与驱动电路(2)的接地之间的电容器CP和开关元件(23)，在驱动电路(2)使IGBT31进行关断开关动作的情况下，开关元件(23)使发射极与接地之间导通。

主权项

1.一种功率模块，其特征在于，具备：功率半导体芯片，其在同一芯片内形成有IGBT和续流二极管；以及驱动电路，其与所述功率半导体芯片连接，对所述IGBT进行导通/关断驱动，所述功率模块是将所述功率半导体芯片和所述驱动电路封装而成的功率模块，所述功率模块还具备串联配置在所述IGBT的发射极与所述驱动电路的接地之间的电容器和开关元件，在所述驱动电路使所述IGBT进行关断开关动作的情况下，所述开关元件使所述发射极与所述接地之间导通。