[发明专利]混合式开关控制器

摘要

一种混合式开关设备包括标准半导体开关和快速半导体开关，标准半导体开关和快速半导体开关电气并联地布置以形成联合输出电流路径以用于承载负载电流。标准开关可以是硅（Si）MOSFET，而快速开关可以是GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）。一种用于产生第一和第二栅极驱动信号的装置包括脉冲形成器。第一栅极驱动信号被施加到标准开关，以用于选择性接通和断开标准开关。脉冲形成器输出用于驱动快速开关的第二栅极驱动信号，其中，该脉冲形成器生成第二栅极驱动信号作为与第一栅极驱动信号的每次转变同步启动的接通脉冲，并且脉冲形成器在脉冲之间生成处于OFF状态的第二栅极驱动信号以避免在快速开关中引起传导损耗。

主权项

1.一种设备，包括：用于产生如下信号的装置，其用于（i）在第一栅极驱动输出上产生第一栅极驱动信号，其中，所述第一栅极驱动信号包括ON状态和OFF状态，并且（ii）在第二栅极驱动输出上产生第二栅极驱动信号，其中，所述第二栅极驱动信号包括ON状态和OFF状态；第一半导体切换装置，其具有第一栅极、第一漏极和第一源极；第二半导体切换装置，其具有第二栅极、第二漏极和第二源极，所述第二半导体切换装置具有第一接通时间，所述第一接通时间小于与所述第一半导体切换装置相关联的第二接通时间；所述第一和第二半导体切换装置以并联布置结构连接，其中，（i）所述第一漏极和所述第二漏极电气连接，并且（ii）所述第一源极和所述第二源极电气连接，其中，所述第一半导体切换装置的所述第一栅极连接到所述产生装置的所述第一栅极驱动输出，以接收所述第一栅极驱动信号，所述第二半导体切换装置的所述第二栅极连接到所述产生装置的所述第二栅极驱动输出，以接收所述第二栅极驱动信号；并且其中，所述产生装置包括脉冲形成器，所述脉冲形成器构造成：（i）在所述第一栅极驱动信号从所述OFF状态转变到所述ON状态时生成所述第二栅极驱动信号作为第一脉冲，（ii）在所述第一栅极驱动信号从所述ON状态转变到所述OFF状态时生成所述第二栅极驱动信号作为第二脉冲，并且（iii）在所述第一与第二脉冲之间生成处于所述OFF状态的所述第二栅极驱动信号。