[发明专利]用于老化保护带减少的自适应电压系统在审
| 申请号： | 201880015510.2 | 申请日： | 2018-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN110383383A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | M·曹;J·库尔卡尼;C·托库纳加;M·科拉;J·茨陈兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/419;G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种设备，该设备包括：第一电源节点；第二电源节点；存储器位单元，耦合到第二电源节点；电路，耦合到第一电源节点和第二电源节点，该电路用于在二极管连接模式下操作；以及晶体管，该晶体管并联耦合到电路，其中晶体管能由数字信号控制，使得当晶体管导通时，其用于向存储器位单元施加电压应力和/或电流应力。 | ||
| 搜索关键词： | 电源节点 耦合到 存储器位单元 电路 晶体管 数字信号控制 二极管连接 晶体管并联 晶体管导通 电压系统 施加电压 保护带 自适应 老化 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：第一电源节点；第二电源节点；存储器位单元，所述存储器位单元耦合到所述第二电源节点；电路，所述电路耦合到所述第一电源节点和所述第二电源节，所述电路用于在二极管连接模式下操作；以及晶体管，所述晶体管与所述电路并联耦合，其中所述晶体管能由数字信号控制，使得当所述晶体管导通时，所述晶体管用于向所述存储器位单元施加电压应力和/或电流应力。
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