[发明专利]碳纳米管、碳类微细结构体及带碳纳米管的基材以及这些的制造方法在审
| 申请号： | 201880015581.2 | 申请日： | 2018-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN110382414A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 高田克则;坂井徹 | 申请（专利权）人： | 大阳日酸株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C01B32/176 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该碳纳米管在沿一个方向延伸的轴向的一端与另一端之间，具有一个以上的晶体缺陷，所述晶体缺陷在以激发波长632.8nm得到的拉曼光谱中的峰的强度IG与强度ID之比(G/D)在0.1～0.5的范围内，所述强度IG为在波数1580cm‑1附近出现的石墨结构所引起的峰、即G带中出现的峰的强度，所述强度ID为在波数1360cm‑1附近出现的各种缺陷所引起的峰、即D带中出现的峰的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 晶体缺陷 波数 微细结构体 方向延伸 激发波长 拉曼光谱 石墨结构 基材 轴向 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管，其轴向沿一个方向延伸，其中，在所述轴向的一端与另一端之间，具有一个以上的晶体缺陷，所述晶体缺陷在以激发波长632.8nm得到的拉曼光谱中的峰的强度IG与峰的强度ID之比G/D在0.1～0.5的范围内，所述强度IG为在波数1580cm‑1附近出现的石墨结构所引起的峰、即G带中出现的峰的强度，所述强度ID为在波数1360cm‑1附近出现的各种缺陷所引起的峰、即D带中出现的峰的强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大阳日酸株式会社，未经大阳日酸株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880015581.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
